As descobertas - da Universidade de York - levantam a perspectiva de que pode ser possível projetar materiais de autocura de alto desempenho que podem reduzir custos e melhorar a escalabilidade, dizem os pesquisadores.

Domanio paºblico
Um material que pode ser usado em tecnologias como a energia solar foi descoberto para autocura, mostra um novo estudo.
As descobertas - da Universidade de York - levantam a perspectiva de que pode ser possível projetar materiais de autocura de alto desempenho que podem reduzir custos e melhorar a escalabilidade, dizem os pesquisadores.
A substância, denominada seleneto de antima´nio (Sb 2 Se 3 ), éum material absorvente solar que pode ser usado para transformar energia luminosa em eletricidade.
O professor Keith McKenna, do Departamento de Fasica, disse: "O processo pelo qual este material semicondutor se autocura ésemelhante ao modo como uma salamandra écapaz de recriar membros quando um écortado. O seleneto de antima´nio repara ligações quebradas criadas quando éclivado formando novos.
"Essa habilidade étão incomum no mundo dos materiais quanto no reino animal e tem implicações importantes para as aplicações desses materiais em optoeletra´nica e fotoquímica."
O artigo discute como ligações quebradas em muitos outros materiais semicondutores geralmente resultam em baixo desempenho. Os pesquisadores citam como exemplo, outro semicondutor chamado CdTe que precisa ser tratado quimicamente para resolver o problema.
O professor McKenna acrescentou: "Descobrimos que o seleneto de antima´nio e o material intimamente relacionado, o sulfeto de antima´nio, são capazes de curar prontamente ligações quebradas emsuperfÍcies por meio de reconstruções estruturais, eliminando assim os estados eletra´nicos problemáticos.
"Semicondutores covalentemente ligados como o seleneto de antima´nio encontram aplicações difundidas em eletra´nica, fotoquímica, fotovoltaica e optoeletra´nica, por exemplo, painanãis solares e componentes para iluminação e displays.
O artigo, "Auto-cura de ligações quebradas e estados de lacuna profunda em Sb 2 Se 3 e Sb 2 S 3 " épublicado em Advanced Electronic Materials .